IXSR40N60CD1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXSR40N60CD1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 210 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 62 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5(max) V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 440 pF
Paquete / Cubierta: ISOPLUS247
Búsqueda de reemplazo de IXSR40N60CD1 - IGBT
IXSR40N60CD1 Datasheet (PDF)
ixsr40n60cd1.pdf
IXSR 40N60CD1 VCES = 600 VIGBT with DiodeIC25 = 62 AISOPLUS247TMVCE(SAT) = 2.5 V(Electrically Isolated Backside)tfi(typ) = 70 nsShort Circuit SOA CapabilityPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS 247TM (IXSR)E 153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VCEI
ixsr40n60bd1.pdf
IXSR 40N60BD1IGBT with Diode VCES = 600 VIC25 = 70 AISOPLUS 247TMVCE(sat) = 2.2 V(Electrically Isolated Backside)tfi(typ) = 120 nsShort Circuit SOA CapabilityPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS 247TMVCES TJ = 25C to 150C 600 VE 153432VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC
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Liste
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