G7N60C Todos los transistores

 

G7N60C - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G7N60C

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 60

Tensión colector-emisor (Vce): 600

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 14

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 8.5

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO252AA

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G7N60C Datasheet (PDF)

5.1. hgtp7n60a4 hgtg7n60a4 hgt1s7n60a4.pdf Size:173K _fairchild_semi

G7N60C
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