DG75X07T2L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DG75X07T2L  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 428 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 156 nS

Encapsulados: TO247

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de DG75X07T2L IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

DG75X07T2L datasheet

 ..1. Size:533K  cn starpower
 dg75x07t2l.pdf pdf_icon

DG75X07T2L

 9.1. Size:483K  cn starpower
 dg75x12t2.pdf pdf_icon

DG75X07T2L

Otros transistores... SIG25N60B, SIG30N60P, SIG30N60W, DG40F12T2, DG40H12T2Y, DG50H12T2Z, DG50X07T2, DG75H12T2, RJH60F5DPQ-A0, DG75X12T2, MSG100D350FHS, MSG100N350FH, GA100TS120U, GA100TS60U, GA125TS120U, GA150TD120U, GA150TS60U