Справочник IGBT. DG75X07T2L

 

DG75X07T2L Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DG75X07T2L
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 428 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 156 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 520 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для DG75X07T2L

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DG75X07T2L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:533K  cn starpower
 dg75x07t2l.pdf pdf_icon

DG75X07T2L

DG75X07T2L IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG75X07T2L 650V/75A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features Low VCE(sat) Trench IGBT technology 6s short circuit capability Low switching loss

 9.1. Size:483K  cn starpower
 dg75x12t2.pdf pdf_icon

DG75X07T2L

DG75X12T2 IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG75X12T2 1200V/75A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features Low VCE(sat) Trench IGBT technology 10s short circuit capability Low switching loss

Другие IGBT... SIG25N60B , SIG30N60P , SIG30N60W , DG40F12T2 , DG40H12T2Y , DG50H12T2Z , DG50X07T2 , DG75H12T2 , GT30J122 , DG75X12T2 , MSG100D350FHS , MSG100N350FH , GA100TS120U , GA100TS60U , GA125TS120U , GA150TD120U , GA150TS60U .

History: IXYP10N65C3 | IRGP6690D | MGP20N14CL | APT25GP90BDQ1G | IHW20N120R5

 

 
Back to Top

 


 
.