SIW100N65G2P2D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIW100N65G2P2D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 400 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 42 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 262 pF
Paquete / Cubierta: TO247
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SIW100N65G2P2D Datasheet (PDF)
siw100n65g2p2d.pdf
SUPER-SEMISuper Junction Insulated Gate Bipolar Transistor650V Trench and Super Junction IGBTSI*100N65G2P2DRev. 0.9Nov. 2023www.supersemi.com.cnSIW100N65G2P2D650V Trench and Super Junction IGBTGeneral DescriptionSuper-Semi Trench and Super Junction IGBTs,VCE 650 Vdesigned according to the super junction (SJ)IC 100 Atechnology. The SJ-IGBT series provides lowVCE(sa
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Liste
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