SIW100N65G2P2D - аналоги и описание IGBT

 

SIW100N65G2P2D - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SIW100N65G2P2D

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 42 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 262 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SIW100N65G2P2D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SIW100N65G2P2D даташит

 ..1. Size:720K  cn super semi
 siw100n65g2p2d.pdf pdf_icon

SIW100N65G2P2D

SUPER-SEMI Super Junction Insulated Gate Bipolar Transistor 650V Trench and Super Junction IGBT SI*100N65G2P2D Rev. 0.9 Nov. 2023 www.supersemi.com.cn SIW100N65G2P2D 650V Trench and Super Junction IGBT General Description Super-Semi Trench and Super Junction IGBTs, VCE 650 V designed according to the super junction (SJ) IC 100 A technology. The SJ-IGBT series provides low VCE(sa

Другие IGBT... IXSR35N120BD1 , IXSR40N60BD1 , IXSR40N60CD1 , IXST15N120BD1 , IXST24N60B , IXST24N60BD1 , IXST30N60B2D1 , IXST35N120B , CRG60T60AK3HD , IXST45N120B , IXSX35N120BD1 , IXSX40N60BD1 , IXSX80N60B , IXXA50N60B3 , IXXH100N60B3 , IXXH100N60C3 , IXXH30N60B3D1 .

History: SHD724602 | STGW75H65DFB2-4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.