MID400-12E4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MID400-12E4
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1700 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 420 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
MID400-12E4 Datasheet (PDF)
mii400-12e4 mid400-12e4 mdi400-12e4.pdf

MII400-12E4 MID400-12E4(T) MDI400-12E4Preliminary DataIC25 = 420 AIGBT ModuleVCES = 1200 Vphaseleg and chopper topolgieswith optional temperature sensorVCE(sat) typ. = 2.2 VMII 400-12E4 MID 400-12E4(T) MDI 400-12E43 3 311T1 T1 10D1 D1 D1193 828 811 1 19 9T2 T2D2 D12 D211 1110 2 10 2 26NTC for ...T version only7FeaturesIGBTs T1 - T2
Otros transistores... MIAA10WE600TMH , MIAA10WF600TMH , MIAA15WB600TMH , MIAA15WD600TMH , MIAA15WE600TMH , MIAA20WB600TMH , MIAA20WD600TMH , MIAA20WE600TMH , IRG4PF50W , MIEB100W1200TEH , MIEB101H1200EH , MIEB101W1200EH , MII100-12A3 , MII145-12A3 , MII150-12A4 , MII200-12A4 , MII300-12A4 .
History: GT50L101 | FF150R12YT3 | APT15GT60BRG | RGT8BM65D | IXGH48N60A3 | VS-GT400TH120N
History: GT50L101 | FF150R12YT3 | APT15GT60BRG | RGT8BM65D | IXGH48N60A3 | VS-GT400TH120N



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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