MID400-12E4 Todos los transistores

 

MID400-12E4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MID400-12E4

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1700 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 420 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS

Encapsulados: MODULE

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MID400-12E4 datasheet

 ..1. Size:202K  ixys
 mii400-12e4 mid400-12e4 mdi400-12e4.pdf pdf_icon

MID400-12E4

MII400-12E4 MID400-12E4(T) MDI400-12E4 Preliminary Data IC25 = 420 A IGBT Module VCES = 1200 V phaseleg and chopper topolgies with optional temperature sensor VCE(sat) typ. = 2.2 V MII 400-12E4 MID 400-12E4(T) MDI 400-12E4 3 3 3 11 T1 T1 10 D1 D1 D11 9 3 8 2 8 8 1 1 1 1 9 9 T2 T2 D2 D12 D2 11 11 10 2 10 2 2 6 NTC for ...T version only 7 Features IGBTs T1 - T2

Otros transistores... MIAA10WE600TMH , MIAA10WF600TMH , MIAA15WB600TMH , MIAA15WD600TMH , MIAA15WE600TMH , MIAA20WB600TMH , MIAA20WD600TMH , MIAA20WE600TMH , IKW40N65WR5 , MIEB100W1200TEH , MIEB101H1200EH , MIEB101W1200EH , MII100-12A3 , MII145-12A3 , MII150-12A4 , MII200-12A4 , MII300-12A4 .

History: MG75J6ES50 | SKM40GDL123D | FGA3060ADF | IXYH50N120C3

 

 

 

 

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