MID400-12E4 - аналоги и описание IGBT

 

MID400-12E4 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MID400-12E4

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1700 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 420 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MID400-12E4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MID400-12E4 даташит

 ..1. Size:202K  ixys
 mii400-12e4 mid400-12e4 mdi400-12e4.pdf pdf_icon

MID400-12E4

MII400-12E4 MID400-12E4(T) MDI400-12E4 Preliminary Data IC25 = 420 A IGBT Module VCES = 1200 V phaseleg and chopper topolgies with optional temperature sensor VCE(sat) typ. = 2.2 V MII 400-12E4 MID 400-12E4(T) MDI 400-12E4 3 3 3 11 T1 T1 10 D1 D1 D11 9 3 8 2 8 8 1 1 1 1 9 9 T2 T2 D2 D12 D2 11 11 10 2 10 2 2 6 NTC for ...T version only 7 Features IGBTs T1 - T2

Другие IGBT... MIAA10WE600TMH , MIAA10WF600TMH , MIAA15WB600TMH , MIAA15WD600TMH , MIAA15WE600TMH , MIAA20WB600TMH , MIAA20WD600TMH , MIAA20WE600TMH , IKW40N65WR5 , MIEB100W1200TEH , MIEB101H1200EH , MIEB101W1200EH , MII100-12A3 , MII145-12A3 , MII150-12A4 , MII200-12A4 , MII300-12A4 .

History: MG75J6ES50 | AUIRGP4062D-E | FD1600-1200R17HP4-K-B2 | DDB2U30N08VR | AFGHL50T65SQ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.