MID400-12E4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MID400-12E4
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1700 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 420 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MID400-12E4
MID400-12E4 Datasheet (PDF)
mii400-12e4 mid400-12e4 mdi400-12e4.pdf

MII400-12E4 MID400-12E4(T) MDI400-12E4Preliminary DataIC25 = 420 AIGBT ModuleVCES = 1200 Vphaseleg and chopper topolgieswith optional temperature sensorVCE(sat) typ. = 2.2 VMII 400-12E4 MID 400-12E4(T) MDI 400-12E43 3 311T1 T1 10D1 D1 D1193 828 811 1 19 9T2 T2D2 D12 D211 1110 2 10 2 26NTC for ...T version only7FeaturesIGBTs T1 - T2
Другие IGBT... MIAA10WE600TMH , MIAA10WF600TMH , MIAA15WB600TMH , MIAA15WD600TMH , MIAA15WE600TMH , MIAA20WB600TMH , MIAA20WD600TMH , MIAA20WE600TMH , IKW40N65WR5 , MIEB100W1200TEH , MIEB101H1200EH , MIEB101W1200EH , MII100-12A3 , MII145-12A3 , MII150-12A4 , MII200-12A4 , MII300-12A4 .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda