MII150-12A4 Todos los transistores

 

MII150-12A4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MII150-12A4
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 760 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 180 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

MII150-12A4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  ixys
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MII150-12A4

MII 150-12 A4 MID 150-12 A4MDI 150-12 A4IC25 = 180 AIGBT ModulesVCES = 1200 VVCE(sat) typ. = 2.2 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA3MII MID MDI2113 3 3110988 81 1 19 911 112 2 21010E 72873FeaturesSymbol Conditions Maximum RatingsNPT IGBT technologylow saturation voltageVCES TJ = 25C to 150C 1200 Vlow switching lossesVCGR T

Otros transistores... MIAA20WD600TMH , MIAA20WE600TMH , MID400-12E4 , MIEB100W1200TEH , MIEB101H1200EH , MIEB101W1200EH , MII100-12A3 , MII145-12A3 , GT60N321 , MII200-12A4 , MII300-12A4 , MII300-12E4 , MII400-12E4 , MII75-12A3 , MIO1200-25E10 , MIO1200-33E10 , MIO1200-33E11 .

History: BLG15T65FUL-B | VS-GB300NH120N | BUK856-800A | MII400-12E4 | IXBV22N300S | MMG100J120U6TC

 

 
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