Справочник IGBT. MII150-12A4

 

MII150-12A4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MII150-12A4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 760 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 180 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MII150-12A4

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MII150-12A4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  ixys
 mii150-12a4.pdf pdf_icon

MII150-12A4

MII 150-12 A4 MID 150-12 A4MDI 150-12 A4IC25 = 180 AIGBT ModulesVCES = 1200 VVCE(sat) typ. = 2.2 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA3MII MID MDI2113 3 3110988 81 1 19 911 112 2 21010E 72873FeaturesSymbol Conditions Maximum RatingsNPT IGBT technologylow saturation voltageVCES TJ = 25C to 150C 1200 Vlow switching lossesVCGR T

Другие IGBT... MIAA20WD600TMH , MIAA20WE600TMH , MID400-12E4 , MIEB100W1200TEH , MIEB101H1200EH , MIEB101W1200EH , MII100-12A3 , MII145-12A3 , NGTB75N65FL2 , MII200-12A4 , MII300-12A4 , MII300-12E4 , MII400-12E4 , MII75-12A3 , MIO1200-25E10 , MIO1200-33E10 , MIO1200-33E11 .

History: IRG7PH42UDPBF | DIM500GCM33-TL | TT060U065FB | 2MBI300N-120 | MMG450WB170B | DGTD65T40S2PT | IXBX75N170A

 

 
Back to Top

 


 
.