MII200-12A4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MII200-12A4
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1130 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 270 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
Encapsulados: MODULE
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MII200-12A4 datasheet
mii200-12a4.pdf
MII 200-12 A4 MID 200-12 A4 MDI 200-12 A4 IC25 = 270 A IGBT Modules VCES = 1200 V VCE(sat) typ. = 2.2 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 3 MII MID MDI 2 11 3 3 3 1 10 9 8 8 8 1 1 1 9 9 11 11 2 2 2 10 10 E 72873 Features Symbol Conditions Maximum Ratings NPT IGBT technology low saturation voltage VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V low switching losses VCGR
Otros transistores... MIAA20WE600TMH , MID400-12E4 , MIEB100W1200TEH , MIEB101H1200EH , MIEB101W1200EH , MII100-12A3 , MII145-12A3 , MII150-12A4 , GT30J122 , MII300-12A4 , MII300-12E4 , MII400-12E4 , MII75-12A3 , MIO1200-25E10 , MIO1200-33E10 , MIO1200-33E11 , MIO1500-25E10 .
History: STGFW20H65FB
History: STGFW20H65FB
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