MII200-12A4 - аналоги и описание IGBT

 

MII200-12A4 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MII200-12A4

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1130 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 270 A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MII200-12A4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MII200-12A4 даташит

 ..1. Size:113K  ixys
 mii200-12a4.pdf pdf_icon

MII200-12A4

MII 200-12 A4 MID 200-12 A4 MDI 200-12 A4 IC25 = 270 A IGBT Modules VCES = 1200 V VCE(sat) typ. = 2.2 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 3 MII MID MDI 2 11 3 3 3 1 10 9 8 8 8 1 1 1 9 9 11 11 2 2 2 10 10 E 72873 Features Symbol Conditions Maximum Ratings NPT IGBT technology low saturation voltage VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V low switching losses VCGR

Другие IGBT... MIAA20WE600TMH , MID400-12E4 , MIEB100W1200TEH , MIEB101H1200EH , MIEB101W1200EH , MII100-12A3 , MII145-12A3 , MII150-12A4 , GT30J122 , MII300-12A4 , MII300-12E4 , MII400-12E4 , MII75-12A3 , MIO1200-25E10 , MIO1200-33E10 , MIO1200-33E11 , MIO1500-25E10 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.