Справочник IGBT. MII200-12A4

 

MII200-12A4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: MII200-12A4

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.2V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 270A

Корпус: Y3-DCB

Аналог (замена) для MII200-12A4

 

 

MII200-12A4 Datasheet (PDF)

1.1. mii200-12a4.pdf Size:113K _igbt

MII200-12A4
MII200-12A4

MII 200-12 A4 MID 200-12 A4 MDI 200-12 A4 IC25 = 270 A IGBT Modules VCES = 1200 V VCE(sat) typ. = 2.2 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 3 MII MID MDI 2 11 3 3 3 1 10 9 8 8 8 1 1 1 9 9 11 11 2 2 2 10 10 E 72873 Features Symbol Conditions Maximum Ratings NPT IGBT technology low saturation voltage VCES TJ = 25°C to 150°C 1200 V low switching losses VCGR

Другие IGBT... MIAA20WE600TMH , MID400-12E4 , MIEB100W1200TEH , MIEB101H1200EH , MIEB101W1200EH , MII100-12A3 , MII145-12A3 , MII150-12A4 , IRG4PC50F , MII300-12A4 , MII300-12E4 , MII400-12E4 , MII75-12A3 , MIO1200-25E10 , MIO1200-33E10 , MIO1200-33E11 , MIO1500-25E10 .

Back to Top

 


MII200-12A4
  MII200-12A4
  MII200-12A4
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: IRGC16B60KB | IRGC16B120KB | IRGC15B120UB | IRGC15B120KB | IRGC100B60UB | IRGC100B60KB | IRGC100B120UB | IRGC100B120KB | IGC70T120T6RL | SIGC05T60SNC |