MII400-12E4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MII400-12E4
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1700 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 420 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MII400-12E4 IGBT
MII400-12E4 Datasheet (PDF)
mii400-12e4 mid400-12e4 mdi400-12e4.pdf

MII400-12E4 MID400-12E4(T) MDI400-12E4Preliminary DataIC25 = 420 AIGBT ModuleVCES = 1200 Vphaseleg and chopper topolgieswith optional temperature sensorVCE(sat) typ. = 2.2 VMII 400-12E4 MID 400-12E4(T) MDI 400-12E43 3 311T1 T1 10D1 D1 D1193 828 811 1 19 9T2 T2D2 D12 D211 1110 2 10 2 26NTC for ...T version only7FeaturesIGBTs T1 - T2
Otros transistores... MIEB101H1200EH , MIEB101W1200EH , MII100-12A3 , MII145-12A3 , MII150-12A4 , MII200-12A4 , MII300-12A4 , MII300-12E4 , FGPF4533 , MII75-12A3 , MIO1200-25E10 , MIO1200-33E10 , MIO1200-33E11 , MIO1500-25E10 , MIO1800-17E10 , MIO2400-17E10 , MIO600-65E11 .
History: APTGT75SK170D1 | 2MBI150NC-060 | FGB3236-F085 | IXGH48N60B3C1 | IXGK120N60A3 | AOTF20B65LN2 | FGD3325G2-F085
History: APTGT75SK170D1 | 2MBI150NC-060 | FGB3236-F085 | IXGH48N60B3C1 | IXGK120N60A3 | AOTF20B65LN2 | FGD3325G2-F085



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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