MII400-12E4 - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги MII400-12E4. Основные параметры


   Наименование: MII400-12E4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1700 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 420 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MII400-12E4

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MII400-12E4 даташит

 ..1. Size:202K  ixys
 mii400-12e4 mid400-12e4 mdi400-12e4.pdf pdf_icon

MII400-12E4

MII400-12E4 MID400-12E4(T) MDI400-12E4 Preliminary Data IC25 = 420 A IGBT Module VCES = 1200 V phaseleg and chopper topolgies with optional temperature sensor VCE(sat) typ. = 2.2 V MII 400-12E4 MID 400-12E4(T) MDI 400-12E4 3 3 3 11 T1 T1 10 D1 D1 D11 9 3 8 2 8 8 1 1 1 1 9 9 T2 T2 D2 D12 D2 11 11 10 2 10 2 2 6 NTC for ...T version only 7 Features IGBTs T1 - T2

Другие IGBT... MIEB101H1200EH , MIEB101W1200EH , MII100-12A3 , MII145-12A3 , MII150-12A4 , MII200-12A4 , MII300-12A4 , MII300-12E4 , KGF75N65KDF , MII75-12A3 , MIO1200-25E10 , MIO1200-33E10 , MIO1200-33E11 , MIO1500-25E10 , MIO1800-17E10 , MIO2400-17E10 , MIO600-65E11 .

 

 
Back to Top

 


 
.