Справочник IGBT. MII400-12E4

 

MII400-12E4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MII400-12E4
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1700 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 420 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 1740 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MII400-12E4

 

 

MII400-12E4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  ixys
 mii400-12e4 mid400-12e4 mdi400-12e4.pdf

MII400-12E4 MII400-12E4

MII400-12E4 MID400-12E4(T) MDI400-12E4Preliminary DataIC25 = 420 AIGBT ModuleVCES = 1200 Vphaseleg and chopper topolgieswith optional temperature sensorVCE(sat) typ. = 2.2 VMII 400-12E4 MID 400-12E4(T) MDI 400-12E43 3 311T1 T1 10D1 D1 D1193 828 811 1 19 9T2 T2D2 D12 D211 1110 2 10 2 26NTC for ...T version only7FeaturesIGBTs T1 - T2

Другие IGBT... MIEB101H1200EH , MIEB101W1200EH , MII100-12A3 , MII145-12A3 , MII150-12A4 , MII200-12A4 , MII300-12A4 , MII300-12E4 , YGW75N65F1 , MII75-12A3 , MIO1200-25E10 , MIO1200-33E10 , MIO1200-33E11 , MIO1500-25E10 , MIO1800-17E10 , MIO2400-17E10 , MIO600-65E11 .

 

 
Back to Top