MII75-12A3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MII75-12A3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 370 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 90 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
Encapsulados: MODULE
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MII75-12A3 datasheet
mii75-12a3.pdf
MII75-12A3 VCES = 2x 1200V IGBT (NPT) Module I= 90 A C25 VCE(sat) = 2.2V Phase leg Part number MII75-12A3 Backside isolated 1 7 6 3 4 5 2 Features / Advantages Applications Package Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage V 3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching losses Medical
Otros transistores... MIEB101W1200EH , MII100-12A3 , MII145-12A3 , MII150-12A4 , MII200-12A4 , MII300-12A4 , MII300-12E4 , MII400-12E4 , IRGB20B60PD1 , MIO1200-25E10 , MIO1200-33E10 , MIO1200-33E11 , MIO1500-25E10 , MIO1800-17E10 , MIO2400-17E10 , MIO600-65E11 , MITA10WB1200TMH .
History: MIXA20W1200MC
History: MIXA20W1200MC
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