MII75-12A3 Todos los transistores

 

MII75-12A3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MII75-12A3
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 370 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 90 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 240 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MII75-12A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  ixys
 mii75-12a3.pdf pdf_icon

MII75-12A3

MII75-12A3VCES = 2x 1200VIGBT (NPT) ModuleI= 90 AC25VCE(sat) = 2.2VPhase legPart numberMII75-12A3Backside: isolated1763452Features / Advantages: Applications: Package: Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage: V~3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching losses Medical

Otros transistores... MIEB101W1200EH , MII100-12A3 , MII145-12A3 , MII150-12A4 , MII200-12A4 , MII300-12A4 , MII300-12E4 , MII400-12E4 , IRG4PC40W , MIO1200-25E10 , MIO1200-33E10 , MIO1200-33E11 , MIO1500-25E10 , MIO1800-17E10 , MIO2400-17E10 , MIO600-65E11 , MITA10WB1200TMH .

 

 
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