Справочник IGBT. MII75-12A3

 

MII75-12A3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MII75-12A3
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 240 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MII75-12A3

 

 

MII75-12A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  ixys
 mii75-12a3.pdf

MII75-12A3 MII75-12A3

MII75-12A3VCES = 2x 1200VIGBT (NPT) ModuleI= 90 AC25VCE(sat) = 2.2VPhase legPart numberMII75-12A3Backside: isolated1763452Features / Advantages: Applications: Package: Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage: V~3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching losses Medical

Другие IGBT... MIEB101W1200EH , MII100-12A3 , MII145-12A3 , MII150-12A4 , MII200-12A4 , MII300-12A4 , MII300-12E4 , MII400-12E4 , GT30F132 , MIO1200-25E10 , MIO1200-33E10 , MIO1200-33E11 , MIO1500-25E10 , MIO1800-17E10 , MIO2400-17E10 , MIO600-65E11 , MITA10WB1200TMH .

 

 
Back to Top