MIO1200-33E10 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MIO1200-33E10
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3300 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1650 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.1 V @25℃
   Paquete / Cubierta: E10
     - Selección de transistores por parámetros