MIO1200-33E10 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: MIO1200-33E10
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3300 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1650 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.1 V @25℃
   Тип корпуса: E10
     - подбор IGBT транзистора по параметрам