MIO1200-33E10 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: MIO1200-33E10
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3300 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1650 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.1 V @25℃
   Тип корпуса: E10

 Аналог (замена) для MIO1200-33E10

 

 

MIO1200-33E10 Datasheet (PDF)

No PDF!

Другие IGBT... MII145-12A3 , MII150-12A4 , MII200-12A4 , MII300-12A4 , MII300-12E4 , MII400-12E4 , MII75-12A3 , MIO1200-25E10 , FGW75N60HD , MIO1200-33E11 , MIO1500-25E10 , MIO1800-17E10 , MIO2400-17E10 , MIO600-65E11 , MITA10WB1200TMH , MITA15WB1200TMH , MITA30WB600TMH .