2PG009 Todos los transistores

 

2PG009 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2PG009

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 40 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 510 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 610 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 125 pF

Encapsulados: TO220F

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2PG009 datasheet

 ..1. Size:417K  fuji
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2PG009

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). IGBT 2PG009 Silicon N-channel enhancement IGBT For plasma display panel drive For high speed switching circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)

 9.1. Size:398K  panasonic
 2pg006.pdf pdf_icon

2PG009

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). IGBT 2PG006 Silicon N-channel enhancement IGBT For plasma display panel drive For high speed switching circuits Package Features Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)

 9.2. Size:300K  panasonic
 2pg001.pdf pdf_icon

2PG009

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). IGBT 2PG001 N-channel enhancement mode IGBT For plasma display panel drive For high speed switching circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)

Otros transistores... MIO1800-17E10 , MIO2400-17E10 , MIO600-65E11 , MITA10WB1200TMH , MITA15WB1200TMH , MITA30WB600TMH , MITB10WB1200TMH , MITB15WB1200TMH , FGH60N60SMD , MIXA100W1200TEH , IGC27T120T6L , MIXA101W1200EH , IGC19T65QE , MIXA10W1200TMH , IGC193T120T8RM , MIXA10W1200TML , IGC18T120T8Q .

History: IGW40N60DTP | DM2G150SH12A

 

 

 

 

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