Справочник IGBT. 2PG009

 

2PG009 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 2PG009
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 510 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 610 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 125 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 51 nC
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для 2PG009

 

 

2PG009 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:417K  fuji
 2pg009.pdf

2PG009 2PG009

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).IGBT 2PG009Silicon N-channel enhancement IGBTFor plasma display panel driveFor high speed switching circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat)

 9.1. Size:398K  panasonic
 2pg006.pdf

2PG009 2PG009

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).IGBT 2PG006Silicon N-channel enhancement IGBTFor plasma display panel driveFor high speed switching circuits Package Features Code Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat)

 9.2. Size:300K  panasonic
 2pg001.pdf

2PG009 2PG009

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).IGBT 2PG001N-channel enhancement mode IGBTFor plasma display panel driveFor high speed switching circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat)

Другие IGBT... MIO1800-17E10 , MIO2400-17E10 , MIO600-65E11 , MITA10WB1200TMH , MITA15WB1200TMH , MITA30WB600TMH , MITB10WB1200TMH , MITB15WB1200TMH , FGD4536 , MIXA100W1200TEH , IGC27T120T6L , MIXA101W1200EH , IGC19T65QE , MIXA10W1200TMH , IGC193T120T8RM , MIXA10W1200TML , IGC18T120T8Q .

 

 
Back to Top