IGC13T120T6L Todos los transistores

 

IGC13T120T6L - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IGC13T120T6L
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 60 pF
   Paquete / Cubierta: CHIP
     - Selección de transistores por parámetros

 

IGC13T120T6L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  infineon
 igc13t120t6l.pdf pdf_icon

IGC13T120T6L

IGC13T120T6L IGBT4 Low Power Chip Features: 1200V Trench + Field stop technology This chip is used for:C low switching losses low / medium power modules positive temperature coefficient easy paralleling Applications: G low / medium power drives E Chip Type VCE ICn Die Size Package IGC13T120T6L 1200V 10A 3.54 x 3.81 mm2 sawn on foil MECHANICAL

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History: DF900R12IP4D | STGWT30V60F | T0360NB25A

 

 
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