IGC13T120T6L - аналоги и описание IGBT

 

IGC13T120T6L - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IGC13T120T6L

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF

Тип корпуса: CHIP

 Аналог (замена) для IGC13T120T6L

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IGC13T120T6L даташит

 ..1. Size:71K  infineon
 igc13t120t6l.pdf pdf_icon

IGC13T120T6L

IGC13T120T6L IGBT4 Low Power Chip Features 1200V Trench + Field stop technology This chip is used for C low switching losses low / medium power modules positive temperature coefficient easy paralleling Applications G low / medium power drives E Chip Type VCE ICn Die Size Package IGC13T120T6L 1200V 10A 3.54 x 3.81 mm2 sawn on foil MECHANICAL

Другие IGBT... MIXA10W1200TML , IGC18T120T8Q , MIXA10WB1200TED , IGC18T120T8L , MIXA10WB1200TMH , MIXA10WB1200TML , IGC18T120T6L , MIXA150W1200TEH , FGA60N65SMD , MIXA151W1200EH , IGC54T65T8RM , MIXA20W1200MC , IGC54T65R3QE , MIXA20W1200TMH , IGC50T120T8RQ , MIXA20W1200TML , IGC50T120T8RL .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.