Справочник IGBT. IGC13T120T6L

 

IGC13T120T6L Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IGC13T120T6L
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF
   Тип корпуса: CHIP
 

 Аналог (замена) для IGC13T120T6L

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IGC13T120T6L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  infineon
 igc13t120t6l.pdf pdf_icon

IGC13T120T6L

IGC13T120T6L IGBT4 Low Power Chip Features: 1200V Trench + Field stop technology This chip is used for:C low switching losses low / medium power modules positive temperature coefficient easy paralleling Applications: G low / medium power drives E Chip Type VCE ICn Die Size Package IGC13T120T6L 1200V 10A 3.54 x 3.81 mm2 sawn on foil MECHANICAL

Другие IGBT... MIXA10W1200TML , IGC18T120T8Q , MIXA10WB1200TED , IGC18T120T8L , MIXA10WB1200TMH , MIXA10WB1200TML , IGC18T120T6L , MIXA150W1200TEH , GT30F126 , MIXA151W1200EH , IGC54T65T8RM , MIXA20W1200MC , IGC54T65R3QE , MIXA20W1200TMH , IGC50T120T8RQ , MIXA20W1200TML , IGC50T120T8RL .

History: NGTB25N120FL2 | SRE100N065FSUD8 | ISL9V5036P3-F085 | HYG15P120B1K1 | ISL9V5036P3 | ISL9V3040D3STV | MMG300D170B6EN

 

 
Back to Top

 


 
.