IGC31T65QE - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IGC31T65QE
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.22 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.6 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
Paquete / Cubierta: CHIP
Búsqueda de reemplazo de IGC31T65QE - IGBT
IGC31T65QE Datasheet (PDF)
igc31t65qe.pdf
IGC31T65QEHigh Speed IGBT3 ChipFeatures: Recommended for: 650V Trench & Field Stop technology discrete components andmodules high speed switching series thirdCgeneration low VCE(sat) Applications: low EMI uninterruptible power supplies low turn-off losses welding convertersG positive temperature coefficient converters with high switching
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Liste
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