Справочник IGBT. IGC31T65QE

 

IGC31T65QE Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IGC31T65QE
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.22 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   Тип корпуса: CHIP
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IGC31T65QE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  infineon
 igc31t65qe.pdf pdf_icon

IGC31T65QE

IGC31T65QEHigh Speed IGBT3 ChipFeatures: Recommended for: 650V Trench & Field Stop technology discrete components andmodules high speed switching series thirdCgeneration low VCE(sat) Applications: low EMI uninterruptible power supplies low turn-off losses welding convertersG positive temperature coefficient converters with high switching

Другие IGBT... IGC39T65T8M , MIXA30W1200TED , IGC39T65QE , MIXA30W1200TMH , IGC36T120T8L , MIXA30W1200TML , IGC36T120T6L , MIXA30WB1200TED , YGW40N65F1 , MIXA40W1200TED , IGC99T120T8RQ , MIXA40W1200TMH , IGC99T120T8RM , MIXA40W1200TML , IGC99T120T8RL , MIXA40WB1200TED , IGC99T120T8RH .

History: T1800GB45A | DGW50N65CTL1 | IGC18T120T8Q

 

 
Back to Top

 


 
.