IGC82T170S8RM - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IGC82T170S8RM
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 70 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
Paquete / Cubierta: CHIP
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IGC82T170S8RM Datasheet (PDF)
igc82t170s8rm.pdf
IGC82T170S8RM IGBT3 Power Chip Features: This chip is used for: 1700V Trench + Field stop technology power modules C low switching losses soft turn off Applications: positive temperature coefficient drives easy parallelingG E Chip Type VCE IC Die Size PackageIGC82T170S8RM 1700V 70A 9.10 x 9.06 mm2 sawn on foil Mechanical Parameters Raster
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Liste
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