Справочник IGBT. IGC82T170S8RM

 

IGC82T170S8RM Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IGC82T170S8RM
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: CHIP
 

 Аналог (замена) для IGC82T170S8RM

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IGC82T170S8RM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  infineon
 igc82t170s8rm.pdf pdf_icon

IGC82T170S8RM

IGC82T170S8RM IGBT3 Power Chip Features: This chip is used for: 1700V Trench + Field stop technology power modules C low switching losses soft turn off Applications: positive temperature coefficient drives easy parallelingG E Chip Type VCE IC Die Size PackageIGC82T170S8RM 1700V 70A 9.10 x 9.06 mm2 sawn on foil Mechanical Parameters Raster

Другие IGBT... MIXA60WB1200TEH , IGC99T120T6RL , MIXA61H1200ED , IGC99T120T6RH , MIXA80R1200VA , MIXA80W1200TED , IGC89T170S8RM , MIXA80W1200TEH , RJH60F5DPQ-A0 , MIXA80WB1200TEH , IGC76T65T8RM , MIXA81H1200EH , IGC70T120T8RQ , MKI100-12E8 , MKI100-12F8 , MKI50-06A7 , MKI50-06A7T .

History: SPM1006 | MG75J2YS50

 

 
Back to Top

 


 
.