MKI100-12E8 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MKI100-12E8
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 165
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2
Paquete / Cubierta: E3
Búsqueda de reemplazo de MKI100-12E8 - IGBT
MKI100-12E8 Datasheet (PDF)
mki100-12f8.pdf
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Advanced Technical Information MKI 100-12F8IC25 = 125 AIGBT ModulesVCES = 1200 VH BridgeVCE(sat) typ. = 3.3 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA13, 211 92 10191511341214, 20MKIFeatures IGBTs Fast NPT IGBTsSymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage- positive temperature coefficient forVCES TVJ = 25C to 150C 1200 Veasy
Otros transistores... MIXA80W1200TED , IGC89T170S8RM , MIXA80W1200TEH , IGC82T170S8RM , MIXA80WB1200TEH , IGC76T65T8RM , MIXA81H1200EH , IGC70T120T8RQ , IKW50N60T , MKI100-12F8 , MKI50-06A7 , MKI50-06A7T , MKI50-12E7 , MKI50-12F7 , MKI75-06A7 , MKI75-06A7T , MKI75-12E8 .
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Liste
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