MKI100-12E8 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MKI100-12E8
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 165 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MKI100-12E8 - IGBT
MKI100-12E8 Datasheet (PDF)
mki100-12f8.pdf
Advanced Technical Information MKI 100-12F8IC25 = 125 AIGBT ModulesVCES = 1200 VH BridgeVCE(sat) typ. = 3.3 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA13, 211 92 10191511341214, 20MKIFeatures IGBTs Fast NPT IGBTsSymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage- positive temperature coefficient forVCES TVJ = 25C to 150C 1200 Veasy
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Liste
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