Справочник IGBT. MKI100-12E8

 

MKI100-12E8 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: MKI100-12E8

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 165A

Корпус: E3

Аналог (замена) для MKI100-12E8

 

 

MKI100-12E8 Datasheet (PDF)

1.1. mki100-12f8.pdf Size:85K _igbt

MKI100-12E8
MKI100-12E8

Advanced Technical Information MKI 100-12F8 IC25 = 125 A IGBT Modules VCES = 1200 V H Bridge VCE(sat) typ. = 3.3 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 13, 21 1 9 2 10 19 15 11 3 4 12 14, 20 MKI Features IGBTs • Fast NPT IGBTs Symbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage - positive temperature coefficient for VCES TVJ = 25°C to 150°C 1200 V easy

Другие IGBT... MIXA80W1200TED , IGC89T170S8RM , MIXA80W1200TEH , IGC82T170S8RM , MIXA80WB1200TEH , IGC76T65T8RM , MIXA81H1200EH , IGC70T120T8RQ , STGW38IH130D , MKI100-12F8 , MKI50-06A7 , MKI50-06A7T , MKI50-12E7 , MKI50-12F7 , MKI75-06A7 , MKI75-06A7T , MKI75-12E8 .

Back to Top

 


MKI100-12E8
  MKI100-12E8
  MKI100-12E8
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: IRGC16B60KB | IRGC16B120KB | IRGC15B120UB | IRGC15B120KB | IRGC100B60UB | IRGC100B60KB | IRGC100B120UB | IRGC100B120KB | IGC70T120T6RL | SIGC05T60SNC |