MKI100-12E8 - аналоги и описание IGBT

 

MKI100-12E8 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MKI100-12E8

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 165 A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MKI100-12E8

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MKI100-12E8 даташит

 5.1. Size:85K  ixys
 mki100-12f8.pdf pdf_icon

MKI100-12E8

Advanced Technical Information MKI 100-12F8 IC25 = 125 A IGBT Modules VCES = 1200 V H Bridge VCE(sat) typ. = 3.3 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 13, 21 1 9 2 10 19 15 11 3 4 12 14, 20 MKI Features IGBTs Fast NPT IGBTs Symbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage - positive temperature coefficient for VCES TVJ = 25 C to 150 C 1200 V easy

Другие IGBT... MIXA80W1200TED , IGC89T170S8RM , MIXA80W1200TEH , IGC82T170S8RM , MIXA80WB1200TEH , IGC76T65T8RM , MIXA81H1200EH , IGC70T120T8RQ , MGD623S , MKI100-12F8 , MKI50-06A7 , MKI50-06A7T , MKI50-12E7 , MKI50-12F7 , MKI75-06A7 , MKI75-06A7T , MKI75-12E8 .

History: IGC99T120T6RM | NGD8201BNT4G | MIXA60WB1200TEH | MIXA80R1200VA | MIXA61H1200ED

 

 

 

 

↑ Back to Top
.