MKI100-12F8 Todos los transistores

 

MKI100-12F8 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MKI100-12F8
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 640 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 125 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 1100 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

MKI100-12F8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  ixys
 mki100-12f8.pdf pdf_icon

MKI100-12F8

Advanced Technical Information MKI 100-12F8IC25 = 125 AIGBT ModulesVCES = 1200 VH BridgeVCE(sat) typ. = 3.3 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA13, 211 92 10191511341214, 20MKIFeatures IGBTs Fast NPT IGBTsSymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage- positive temperature coefficient forVCES TVJ = 25C to 150C 1200 Veasy

Otros transistores... IGC89T170S8RM , MIXA80W1200TEH , IGC82T170S8RM , MIXA80WB1200TEH , IGC76T65T8RM , MIXA81H1200EH , IGC70T120T8RQ , MKI100-12E8 , IRG4PC50UD , MKI50-06A7 , MKI50-06A7T , MKI50-12E7 , MKI50-12F7 , MKI75-06A7 , MKI75-06A7T , MKI75-12E8 , MKI80-06T6K .

 

 
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