MKI100-12F8 Todos los transistores

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MKI100-12F8 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MKI100-12F8

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 1200V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 3.3V

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 125A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C:

Tiempo de elevación:

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: E3

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MKI100-12F8 Datasheet (PDF)

1.1. mki100-12f8.pdf Size:85K _igbt

MKI100-12F8
MKI100-12F8

Advanced Technical Information MKI 100-12F8 IC25 = 125 A IGBT Modules VCES = 1200 V H Bridge VCE(sat) typ. = 3.3 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 13, 21 1 9 2 10 19 15 11 3 4 12 14, 20 MKI Features IGBTs • Fast NPT IGBTs Symbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage - positive temperature coefficient for VCES TVJ = 25°C to 150°C 1200 V easy

Otros transistores... IGC89T170S8RM , MIXA80W1200TEH , IGC82T170S8RM , MIXA80WB1200TEH , IGC76T65T8RM , MIXA81H1200EH , IGC70T120T8RQ , MKI100-12E8 , IRGB20B60PD1 , MKI50-06A7 , MKI50-06A7T , MKI50-12E7 , MKI50-12F7 , MKI75-06A7 , MKI75-06A7T , MKI75-12E8 , MKI80-06T6K .

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