MKI100-12F8 Todos los transistores

 

MKI100-12F8 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MKI100-12F8

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 640 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 125 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.3 V @25℃

Encapsulados: MODULE

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MKI100-12F8 datasheet

 ..1. Size:85K  ixys
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MKI100-12F8

Advanced Technical Information MKI 100-12F8 IC25 = 125 A IGBT Modules VCES = 1200 V H Bridge VCE(sat) typ. = 3.3 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 13, 21 1 9 2 10 19 15 11 3 4 12 14, 20 MKI Features IGBTs Fast NPT IGBTs Symbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage - positive temperature coefficient for VCES TVJ = 25 C to 150 C 1200 V easy

Otros transistores... IGC89T170S8RM , MIXA80W1200TEH , IGC82T170S8RM , MIXA80WB1200TEH , IGC76T65T8RM , MIXA81H1200EH , IGC70T120T8RQ , MKI100-12E8 , IRG4PC50UD , MKI50-06A7 , MKI50-06A7T , MKI50-12E7 , MKI50-12F7 , MKI75-06A7 , MKI75-06A7T , MKI75-12E8 , MKI80-06T6K .

 

 

 

 

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