Справочник IGBT. MKI100-12F8

 

MKI100-12F8 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MKI100-12F8
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 640 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 125 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 1100 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MKI100-12F8

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MKI100-12F8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  ixys
 mki100-12f8.pdf pdf_icon

MKI100-12F8

Advanced Technical Information MKI 100-12F8IC25 = 125 AIGBT ModulesVCES = 1200 VH BridgeVCE(sat) typ. = 3.3 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA13, 211 92 10191511341214, 20MKIFeatures IGBTs Fast NPT IGBTsSymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage- positive temperature coefficient forVCES TVJ = 25C to 150C 1200 Veasy

Другие IGBT... IGC89T170S8RM , MIXA80W1200TEH , IGC82T170S8RM , MIXA80WB1200TEH , IGC76T65T8RM , MIXA81H1200EH , IGC70T120T8RQ , MKI100-12E8 , STGW60V60DF , MKI50-06A7 , MKI50-06A7T , MKI50-12E7 , MKI50-12F7 , MKI75-06A7 , MKI75-06A7T , MKI75-12E8 , MKI80-06T6K .

History: IRG7PH35UD1-EP | MMG400D060B6TC

 

 
Back to Top

 


 
.