GA300TD60U Todos los transistores

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GA300TD60U - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GA300TD60U

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 880W

Tensión colector-emisor (Vce): 600V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.30V

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 300A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación:

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: INT-A-PAK

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GA300TD60U Datasheet (PDF)

1.1. ga300td60u.pdf Size:239K _international_rectifier

GA300TD60U
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PD -50057D GA300TD60U Ultra-FastTM Speed IGBT "HALF-BRIDGE" IGBT DOUBLE INT-A-PAK Features VCES = 600V Generation 4 IGBT technology UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 VCE(on) typ. = 1.80V kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses @VGE = 15V, IC = 300A HEXFRED antiparallel diodes with ultra- soft recove

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