GA300TD60U Todos los transistores

 

GA300TD60U - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GA300TD60U
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 880 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 282 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1735 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

GA300TD60U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:239K  international rectifier
 ga300td60u.pdf pdf_icon

GA300TD60U

PD -50057DGA300TD60U Ultra-FastTM Speed IGBT"HALF-BRIDGE" IGBT DOUBLE INT-A-PAKFeaturesVCES = 600V Generation 4 IGBT technology UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200VCE(on) typ. = 1.80V kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses@VGE = 15V, IC = 300A HEXFRED antiparallel diodes with ultra-

Otros transistores... GA125TS120U , GA150TD120U , GA150TS60U , GA200SA60S , GA200SA60U , GA200TD120U , GA250TD120U , GA250TS60U , GT60N321 , GA400TD25S , GA400TD60U , GA500TD60U , GA50TS120U , GA600GD25S , GA75TS120U , GA75TS60U , GT10G101 .

History: APT50GF60HR | IGW75N60H3 | FD800R33KF2C-K | IKB40N65ES5 | CM400DY-24NF | VS-GB100TP120N | SKM150GB174D

 

 
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