Справочник IGBT. GA300TD60U

 

GA300TD60U Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GA300TD60U
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 880 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 282 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1735 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 1249 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для GA300TD60U

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GA300TD60U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:239K  international rectifier
 ga300td60u.pdf pdf_icon

GA300TD60U

PD -50057DGA300TD60U Ultra-FastTM Speed IGBT"HALF-BRIDGE" IGBT DOUBLE INT-A-PAKFeaturesVCES = 600V Generation 4 IGBT technology UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200VCE(on) typ. = 1.80V kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses@VGE = 15V, IC = 300A HEXFRED antiparallel diodes with ultra-

Другие IGBT... GA125TS120U , GA150TD120U , GA150TS60U , GA200SA60S , GA200SA60U , GA200TD120U , GA250TD120U , GA250TS60U , NGTB75N65FL2 , GA400TD25S , GA400TD60U , GA500TD60U , GA50TS120U , GA600GD25S , GA75TS120U , GA75TS60U , GT10G101 .

History: GT60M103 | HGT1S7N60C3DS

 

 
Back to Top

 


 
.