GA300TD60U - аналоги и описание IGBT

 

GA300TD60U - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: GA300TD60U

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 880 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 282 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1735 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для GA300TD60U

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GA300TD60U даташит

 ..1. Size:239K  international rectifier
 ga300td60u.pdf pdf_icon

GA300TD60U

PD -50057D GA300TD60U Ultra-FastTM Speed IGBT "HALF-BRIDGE" IGBT DOUBLE INT-A-PAK Features VCES = 600V Generation 4 IGBT technology UltraFast Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 VCE(on) typ. = 1.80V kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses @VGE = 15V, IC = 300A HEXFRED antiparallel diodes with ultra-

Другие IGBT... GA125TS120U , GA150TD120U , GA150TS60U , GA200SA60S , GA200SA60U , GA200TD120U , GA250TD120U , GA250TS60U , IRG4PC40W , GA400TD25S , GA400TD60U , GA500TD60U , GA50TS120U , GA600GD25S , GA75TS120U , GA75TS60U , GT10G101 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.