GA500TD60U - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GA500TD60U
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1550 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 500 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 430 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2920 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
GA500TD60U Datasheet (PDF)
ga500td60u.pdf
PD - 50048CGA500TD60U Ultra-FastTM Speed IGBT"HALF-BRIDGE" IGBT DOUBLE INT-A-PAKFeaturesVCES = 600V Generation 4 IGBT technology UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200VCE(on) typ. = 1.9V kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses@VGE = 15V, IC = 500A HEXFRED antiparallel diodes with ultra-
Otros transistores... GA200SA60S , GA200SA60U , GA200TD120U , GA250TD120U , GA250TS60U , GA300TD60U , GA400TD25S , GA400TD60U , YGW60N65F1A2 , GA50TS120U , GA600GD25S , GA75TS120U , GA75TS60U , GT10G101 , GT10J301 , GT10J311 , GT10Q301 .
History: APTGT600U170D4 | APTGT75SK120D1
History: APTGT600U170D4 | APTGT75SK120D1
Liste
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