Справочник IGBT. GA500TD60U

 

GA500TD60U - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GA500TD60U
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 1550
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 500
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 430
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 2920
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 2100
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для GA500TD60U

 

 

GA500TD60U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  international rectifier
 ga500td60u.pdf

GA500TD60U GA500TD60U

PD - 50048CGA500TD60U Ultra-FastTM Speed IGBT"HALF-BRIDGE" IGBT DOUBLE INT-A-PAKFeaturesVCES = 600V Generation 4 IGBT technology UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200VCE(on) typ. = 1.9V kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses@VGE = 15V, IC = 500A HEXFRED antiparallel diodes with ultra-

Другие IGBT... GA200SA60S , GA200SA60U , GA200TD120U , GA250TD120U , GA250TS60U , GA300TD60U , GA400TD25S , GA400TD60U , HGTG30N60A4 , GA50TS120U , GA600GD25S , GA75TS120U , GA75TS60U , GT10G101 , GT10J301 , GT10J311 , GT10Q301 .

 

 
Back to Top