Справочник IGBT. GA500TD60U

 

GA500TD60U - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GA500TD60U
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1550 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 500 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 430 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2920 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 2100 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для GA500TD60U

 

 

GA500TD60U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  international rectifier
 ga500td60u.pdf

GA500TD60U GA500TD60U

PD - 50048CGA500TD60U Ultra-FastTM Speed IGBT"HALF-BRIDGE" IGBT DOUBLE INT-A-PAKFeaturesVCES = 600V Generation 4 IGBT technology UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200VCE(on) typ. = 1.9V kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses@VGE = 15V, IC = 500A HEXFRED antiparallel diodes with ultra-

Другие IGBT... GA200SA60S , GA200SA60U , GA200TD120U , GA250TD120U , GA250TS60U , GA300TD60U , GA400TD25S , GA400TD60U , FGH30S130P , GA50TS120U , GA600GD25S , GA75TS120U , GA75TS60U , GT10G101 , GT10J301 , GT10J311 , GT10Q301 .

 

 
Back to Top