GA50TS120U IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GA50TS120U
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 280 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.4 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 82 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 397 pF
Encapsulados: MODULE
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GA50TS120U datasheet
ga50ts120u.pdf
PD - 50064A GA50TS120U Ultra-FastTM Speed IGBT "HALF-BRIDGE" IGBT INT-A-PAK Features VCES = 1200V Generation 4 IGBT technology UltraFast Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 VCE(on) typ. = 2.4V kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses @VGE = 15V, IC = 50A HEXFRED antiparallel diodes with ultra- soft
Otros transistores... GA200SA60U , GA200TD120U , GA250TD120U , GA250TS60U , GA300TD60U , GA400TD25S , GA400TD60U , GA500TD60U , KGF75N65KDF , GA600GD25S , GA75TS120U , GA75TS60U , GT10G101 , GT10J301 , GT10J311 , GT10Q301 , GT10Q311 .
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