GA50TS120U - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GA50TS120U
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 280 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.4 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 82 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 397 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 397 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de GA50TS120U - IGBT
GA50TS120U Datasheet (PDF)
ga50ts120u.pdf
PD - 50064AGA50TS120U Ultra-FastTM Speed IGBT"HALF-BRIDGE" IGBT INT-A-PAKFeaturesVCES = 1200V Generation 4 IGBT technology UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200VCE(on) typ. = 2.4V kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses@VGE = 15V, IC = 50A HEXFRED antiparallel diodes with ultra- soft
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