Справочник IGBT. GA50TS120U

 

GA50TS120U - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GA50TS120U
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 82 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 397 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 397 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для GA50TS120U

 

 

GA50TS120U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  international rectifier
 ga50ts120u.pdf

GA50TS120U GA50TS120U

PD - 50064AGA50TS120U Ultra-FastTM Speed IGBT"HALF-BRIDGE" IGBT INT-A-PAKFeaturesVCES = 1200V Generation 4 IGBT technology UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200VCE(on) typ. = 2.4V kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses@VGE = 15V, IC = 50A HEXFRED antiparallel diodes with ultra- soft

Другие IGBT... GA200SA60U , GA200TD120U , GA250TD120U , GA250TS60U , GA300TD60U , GA400TD25S , GA400TD60U , GA500TD60U , YGW75N65F1 , GA600GD25S , GA75TS120U , GA75TS60U , GT10G101 , GT10J301 , GT10J311 , GT10Q301 , GT10Q311 .

 

 
Back to Top