MWI200-06A8 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MWI200-06A8
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 675 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 225 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 670 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MWI200-06A8 - IGBT
MWI200-06A8 Datasheet (PDF)
mwi200-06a8.pdf
MWI 200-06 A8IC25 = 225 AIGBT ModulesVCES = 600 VSixpackVCE(sat) typ.= 2.0 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA13, 21Preliminary data1 5 92 6 101917153 7 11 E728734 8 12See outline drawing for pin arrangement14, 20Features IGBTsNPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings low saturation voltagelow switching lossesVCE
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Liste
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