MWI200-06A8 Todos los transistores

 

MWI200-06A8 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MWI200-06A8
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 675 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 225 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   Paquete / Cubierta: MODULE

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MWI200-06A8 Datasheet (PDF)

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MWI200-06A8

MWI 200-06 A8 IC25 = 225 A IGBT Modules VCES = 600 V Sixpack VCE(sat) typ.= 2.0 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 13, 21 Preliminary data 1 5 9 2 6 10 19 17 15 3 7 11 E72873 4 8 12 See outline drawing for pin arrangement 14, 20 Features IGBTs NPT IGBT technology Symbol Conditions Maximum Ratings low saturation voltage low switching losses VCE

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