MWI200-06A8 Todos los transistores

 

MWI200-06A8 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MWI200-06A8

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 600V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2V

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 225A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C:

Tiempo de elevación:

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: E3

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MWI200-06A8 Datasheet (PDF)

1.1. mwi200-06a8.pdf Size:71K _igbt

MWI200-06A8
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MWI 200-06 A8 IC25 = 225 A IGBT Modules VCES = 600 V Sixpack VCE(sat) typ.= 2.0 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 13, 21 Preliminary data 1 5 9 2 6 10 19 17 15 3 7 11 E72873 4 8 12 See outline drawing for pin arrangement 14, 20 Features IGBTs €€NPT IGBT technology Symbol Conditions Maximum Ratings €€low saturation voltage €€low switching losses VCE

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