MWI200-06A8 Todos los transistores

 

MWI200-06A8 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MWI200-06A8
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 675 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 225 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 670 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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MWI200-06A8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  ixys
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MWI200-06A8

MWI 200-06 A8IC25 = 225 AIGBT ModulesVCES = 600 VSixpackVCE(sat) typ.= 2.0 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA13, 21Preliminary data1 5 92 6 101917153 7 11 E728734 8 12See outline drawing for pin arrangement14, 20Features IGBTsNPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings low saturation voltagelow switching lossesVCE

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History: SGTP50V65SDB1P7 | MPBW40N65BU | NCE30TD60BF

 

 
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