Справочник IGBT. MWI200-06A8

 

MWI200-06A8 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MWI200-06A8
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 675 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 225 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 670 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MWI200-06A8

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MWI200-06A8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  ixys
 mwi200-06a8.pdf pdf_icon

MWI200-06A8

MWI 200-06 A8IC25 = 225 AIGBT ModulesVCES = 600 VSixpackVCE(sat) typ.= 2.0 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA13, 21Preliminary data1 5 92 6 101917153 7 11 E728734 8 12See outline drawing for pin arrangement14, 20Features IGBTsNPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings low saturation voltagelow switching lossesVCE

Другие IGBT... MWI100-06A8 , MWI100-12A8 , MWI100-12E8 , MWI100-12T8T , MWI150-06A8 , MWI150-12T8T , MWI15-12A6K , MWI15-12A7 , IRG7IC28U , MWI225-12E9 , MWI225-17E9 , MWI25-12A7 , MWI25-12A7T , MWI25-12E7 , MWI300-12E9 , MWI300-17E9 , MWI30-06A7 .

History: MPBW30N120E

 

 
Back to Top

 


 
.