MWI200-06A8 - аналоги и описание IGBT

 

MWI200-06A8 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MWI200-06A8

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 675 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 225 A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MWI200-06A8

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MWI200-06A8 даташит

 ..1. Size:71K  ixys
 mwi200-06a8.pdf pdf_icon

MWI200-06A8

MWI 200-06 A8 IC25 = 225 A IGBT Modules VCES = 600 V Sixpack VCE(sat) typ.= 2.0 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 13, 21 Preliminary data 1 5 9 2 6 10 19 17 15 3 7 11 E72873 4 8 12 See outline drawing for pin arrangement 14, 20 Features IGBTs NPT IGBT technology Symbol Conditions Maximum Ratings low saturation voltage low switching losses VCE

Другие IGBT... MWI100-06A8 , MWI100-12A8 , MWI100-12E8 , MWI100-12T8T , MWI150-06A8 , MWI150-12T8T , MWI15-12A6K , MWI15-12A7 , BT40T60ANF , MWI225-12E9 , MWI225-17E9 , MWI25-12A7 , MWI25-12A7T , MWI25-12E7 , MWI300-12E9 , MWI300-17E9 , MWI30-06A7 .

History: MWI225-17E9

 

 

 


 
↑ Back to Top
.