MWI35-12T7T IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MWI35-12T7T
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
Encapsulados: MODULE
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MWI35-12T7T datasheet
mwi35-12t7t.pdf
MWI 35-12T7T IC25 = 60 A Six-Pack VCES = 1200 V Trench IGBT VCE(sat) typ. = 1.7 V Part name (Marking on product) MWI 35-12T7T 15, 16 25, 26 1 5 9 17 2 6 10 23, 24 21, 22 NTC 19, 20 E72873 Pin configuration see outlines. 18 3 7 11 4 8 12 13, 14 27, 28 Features Application Package Trench IGBT technology AC motor drives "E2-Pack" standard outline lo
mwi35-12a7.pdf
MWI 35-12 A7 IC25 = 62 A IGBT Modules VCES = 1200 V Sixpack VCE(sat) typ. = 2.2 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 13 1 5 9 2 6 10 16 15 14 3 7 11 E72873 4 8 12 See outline drawing for pin arrangement 17 Features IGBTs NPT IGBT technology Symbol Conditions Maximum Ratings low saturation voltage low switching losses VCES TVJ = 25 C to 150 C 1200
Otros transistores... MWI25-12A7T , MWI25-12E7 , MWI300-12E9 , MWI300-17E9 , MWI30-06A7 , MWI30-06A7T , MWI30-12E6K , MWI35-12A7 , MBQ50T65FDSC , MWI450-12E9 , MWI451-17E9 , MWI45-12T6K , MWI50-06A7 , MWI50-06A7T , MWI50-12A7 , MWI50-12A7T , MWI50-12E6K .
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