MWI35-12T7T Todos los transistores

 

MWI35-12T7T - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MWI35-12T7T
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 170 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

MWI35-12T7T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  ixys
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MWI35-12T7T

MWI 35-12T7TIC25 = 60 ASix-PackVCES = 1200 VTrench IGBTVCE(sat) typ. = 1.7 VPart name (Marking on product)MWI 35-12T7T15, 1625, 2615 91726 1023, 2421, 22NTC19, 20E72873Pin configuration see outlines.1837 1148 1213, 1427, 28Features: Application: Package: Trench IGBT technology AC motor drives "E2-Pack" standard outline lo

 6.1. Size:89K  ixys
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MWI35-12T7T

MWI 35-12 A7IC25 = 62 AIGBT ModulesVCES = 1200 VSixpackVCE(sat) typ. = 2.2 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA131 5 92 6 101615143 7 11 E728734 8 12See outline drawing for pin arrangement17Features IGBTsNPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings low saturation voltagelow switching lossesVCES TVJ = 25C to 150C 1200

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History: MKI75-12E8 | MGP20N40CL | STGP30H60DF | IXGT28N90B | AIGW50N65H5 | AIKQ100N60CT | RGTH50TS65D

 

 
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