MWI35-12T7T - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MWI35-12T7T
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 170 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MWI35-12T7T - IGBT
MWI35-12T7T Datasheet (PDF)
mwi35-12t7t.pdf
MWI 35-12T7TIC25 = 60 ASix-PackVCES = 1200 VTrench IGBTVCE(sat) typ. = 1.7 VPart name (Marking on product)MWI 35-12T7T15, 1625, 2615 91726 1023, 2421, 22NTC19, 20E72873Pin configuration see outlines.1837 1148 1213, 1427, 28Features: Application: Package: Trench IGBT technology AC motor drives "E2-Pack" standard outline lo
mwi35-12a7.pdf
MWI 35-12 A7IC25 = 62 AIGBT ModulesVCES = 1200 VSixpackVCE(sat) typ. = 2.2 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA131 5 92 6 101615143 7 11 E728734 8 12See outline drawing for pin arrangement17Features IGBTsNPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings low saturation voltagelow switching lossesVCES TVJ = 25C to 150C 1200
Otros transistores... MWI25-12A7T , MWI25-12E7 , MWI300-12E9 , MWI300-17E9 , MWI30-06A7 , MWI30-06A7T , MWI30-12E6K , MWI35-12A7 , YGW40N65F1 , MWI450-12E9 , MWI451-17E9 , MWI45-12T6K , MWI50-06A7 , MWI50-06A7T , MWI50-12A7 , MWI50-12A7T , MWI50-12E6K .
Liste
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IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2