MWI35-12T7T - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги MWI35-12T7T. Основные параметры


   Наименование: MWI35-12T7T
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MWI35-12T7T

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MWI35-12T7T даташит

 ..1. Size:202K  ixys
 mwi35-12t7t.pdf pdf_icon

MWI35-12T7T

MWI 35-12T7T IC25 = 60 A Six-Pack VCES = 1200 V Trench IGBT VCE(sat) typ. = 1.7 V Part name (Marking on product) MWI 35-12T7T 15, 16 25, 26 1 5 9 17 2 6 10 23, 24 21, 22 NTC 19, 20 E72873 Pin configuration see outlines. 18 3 7 11 4 8 12 13, 14 27, 28 Features Application Package Trench IGBT technology AC motor drives "E2-Pack" standard outline lo

 6.1. Size:89K  ixys
 mwi35-12a7.pdf pdf_icon

MWI35-12T7T

MWI 35-12 A7 IC25 = 62 A IGBT Modules VCES = 1200 V Sixpack VCE(sat) typ. = 2.2 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 13 1 5 9 2 6 10 16 15 14 3 7 11 E72873 4 8 12 See outline drawing for pin arrangement 17 Features IGBTs NPT IGBT technology Symbol Conditions Maximum Ratings low saturation voltage low switching losses VCES TVJ = 25 C to 150 C 1200

Другие IGBT... MWI25-12A7T , MWI25-12E7 , MWI300-12E9 , MWI300-17E9 , MWI30-06A7 , MWI30-06A7T , MWI30-12E6K , MWI35-12A7 , MBQ50T65FDSC , MWI450-12E9 , MWI451-17E9 , MWI45-12T6K , MWI50-06A7 , MWI50-06A7T , MWI50-12A7 , MWI50-12A7T , MWI50-12E6K .

 

 
Back to Top

 


 
.