MWI60-12T6K - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MWI60-12T6K
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 58 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 330 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MWI60-12T6K - IGBT
MWI60-12T6K Datasheet (PDF)
mwi60-12t6k.pdf
MWI 60-12T6KIC25 = 58 AIGBT ModuleVCES = 1200 VSixpackVCE(sat) typ. = 1.9 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOAPreliminary dataPart name (Marking on product)MWI 60-12T6K10, 2318 2214817 211311, 12NTC 15, 1619, 20E72873Pin configuration see outlines.74 263 159, 24Features: Application: Package: Trench IGBTs AC drives UL reg
mwi60-06g6k.pdf
Advanced Technical InformationMWI 60-06 G6KIC25 = 60 AIGBT ModuleVCES = 600 VSixpackVCE(sat) typ. = 2.3 VSquare RBSOA10, 2314 18 22813 17 2111, 12NTC15, 1619, 2076 4 25 3 19, 24Features IGBTs IGBTsSymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage- fast switchingVCES TVJ = 25C to 150C 600 V- short tail current for optimizedper
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Liste
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