Справочник IGBT. MWI60-12T6K

 

MWI60-12T6K Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MWI60-12T6K
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 58 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 330 nC
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MWI60-12T6K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  ixys
 mwi60-12t6k.pdf pdf_icon

MWI60-12T6K

MWI 60-12T6KIC25 = 58 AIGBT ModuleVCES = 1200 VSixpackVCE(sat) typ. = 1.9 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOAPreliminary dataPart name (Marking on product)MWI 60-12T6K10, 2318 2214817 211311, 12NTC 15, 1619, 20E72873Pin configuration see outlines.74 263 159, 24Features: Application: Package: Trench IGBTs AC drives UL reg

 8.1. Size:83K  ixys
 mwi60-06g6k.pdf pdf_icon

MWI60-12T6K

Advanced Technical InformationMWI 60-06 G6KIC25 = 60 AIGBT ModuleVCES = 600 VSixpackVCE(sat) typ. = 2.3 VSquare RBSOA10, 2314 18 22813 17 2111, 12NTC15, 1619, 2076 4 25 3 19, 24Features IGBTs IGBTsSymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage- fast switchingVCES TVJ = 25C to 150C 600 V- short tail current for optimizedper

Другие IGBT... MWI50-06A7 , MWI50-06A7T , MWI50-12A7 , MWI50-12A7T , MWI50-12E6K , MWI50-12E7 , MWI50-12T7T , MWI60-06G6K , TGAN60N60F2DS , MWI75-06A7 , MWI75-06A7T , MWI75-12A8 , MWI75-12E8 , MWI75-12T7T , MWI75-12T8T , MWI80-12T6K , VII130-06P1 .

 

 
Back to Top

 


 
.