MWI80-12T6K - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MWI80-12T6K
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 270 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MWI80-12T6K IGBT
MWI80-12T6K Datasheet (PDF)
mwi80-12t6k.pdf
MWI 80-12T6KIC25 = 80 AIGBT ModuleVCES = 1200 VSixpackVCE(sat) typ. = 2.0 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOAPreliminary dataPart name (Marking on product)MWI 80-12T6K10, 2318 2214817 211311, 12NTC 15, 1619, 20E72873Pin configuration see outlines.74 263 159, 24Features: Application: Package: Trench IGBTs AC drives UL reg
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History: RJH60D7BDPQ-E0
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Liste
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