MWI80-12T6K Todos los transistores

 

MWI80-12T6K - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MWI80-12T6K
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 270 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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MWI80-12T6K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  ixys
 mwi80-12t6k.pdf pdf_icon

MWI80-12T6K

MWI 80-12T6KIC25 = 80 AIGBT ModuleVCES = 1200 VSixpackVCE(sat) typ. = 2.0 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOAPreliminary dataPart name (Marking on product)MWI 80-12T6K10, 2318 2214817 211311, 12NTC 15, 1619, 20E72873Pin configuration see outlines.74 263 159, 24Features: Application: Package: Trench IGBTs AC drives UL reg

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History: MMG200DR120UK | NGTB50N65FL2 | APT36GA60BD15 | STGW10M65DF2 | NGTB40N120L | IXGP48N60C3 | IXGH120N30B3

 

 
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