Справочник IGBT. MWI80-12T6K

 

MWI80-12T6K Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MWI80-12T6K
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 470 nC
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MWI80-12T6K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  ixys
 mwi80-12t6k.pdf pdf_icon

MWI80-12T6K

MWI 80-12T6KIC25 = 80 AIGBT ModuleVCES = 1200 VSixpackVCE(sat) typ. = 2.0 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOAPreliminary dataPart name (Marking on product)MWI 80-12T6K10, 2318 2214817 211311, 12NTC 15, 1619, 20E72873Pin configuration see outlines.74 263 159, 24Features: Application: Package: Trench IGBTs AC drives UL reg

Другие IGBT... MWI60-06G6K , MWI60-12T6K , MWI75-06A7 , MWI75-06A7T , MWI75-12A8 , MWI75-12E8 , MWI75-12T7T , MWI75-12T8T , IKW30N60H3 , VII130-06P1 , VKI50-06P1 , VKI50-12P1 , VKI75-06P1 , VWI15-12P1 , VWI20-06P1 , VWI35-06P1 , STGB10NB40LZ .

History: APT100GT60JRDQ4 | MPBA15N65EF

 

 
Back to Top

 


 
.