MWI80-12T6K - аналоги и описание IGBT

 

MWI80-12T6K - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MWI80-12T6K

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MWI80-12T6K

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MWI80-12T6K даташит

 ..1. Size:158K  ixys
 mwi80-12t6k.pdf pdf_icon

MWI80-12T6K

MWI 80-12T6K IC25 = 80 A IGBT Module VCES = 1200 V Sixpack VCE(sat) typ. = 2.0 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA Preliminary data Part name (Marking on product) MWI 80-12T6K 10, 23 18 22 14 8 17 21 13 11, 12 NTC 15, 16 19, 20 E72873 Pin configuration see outlines. 7 4 2 6 3 1 5 9, 24 Features Application Package Trench IGBTs AC drives UL reg

Другие IGBT... MWI60-06G6K , MWI60-12T6K , MWI75-06A7 , MWI75-06A7T , MWI75-12A8 , MWI75-12E8 , MWI75-12T7T , MWI75-12T8T , SGP30N60 , VII130-06P1 , VKI50-06P1 , VKI50-12P1 , VKI75-06P1 , VWI15-12P1 , VWI20-06P1 , VWI35-06P1 , STGB10NB40LZ .

History: VKI50-06P1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.