GT10G101 Todos los transistores

 

GT10G101 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT10G101
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 30 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

GT10G101 Datasheet (PDF)

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GT10G101

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GT10G101

GT10G131 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT10G131 Strobe Flash Applications Unit: mm Supplied in compact and thin package requires only a small mounting area 5th generation (trench gate structure) IGBT Enhancement-mode 4-V gate drive voltage: VGE = 4.0 V (min) (@IC = 200 A) Peak collector current: IC = 200 A (max) Built

Otros transistores... GA300TD60U , GA400TD25S , GA400TD60U , GA500TD60U , GA50TS120U , GA600GD25S , GA75TS120U , GA75TS60U , IHW15N120R3 , GT10J301 , GT10J311 , GT10Q301 , GT10Q311 , GT15G101 , GT15J101 , GT15J102 , GT15J103 .

History: JNG40T60HS | SKM50GB12V | APT30GF60JU3 | DF300R12KE3 | NGTB40N135IHR | APT25GP90BDF1 | IRGIB15B60KD1P

 

 
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