GT10G101 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT10G101
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 30 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de GT10G101 IGBT
GT10G101 Datasheet (PDF)
gt10g131.pdf
GT10G131 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT10G131 Strobe Flash Applications Unit: mm Supplied in compact and thin package requires only a small mounting area 5th generation (trench gate structure) IGBT Enhancement-mode 4-V gate drive voltage: VGE = 4.0 V (min) (@IC = 200 A) Peak collector current: IC = 200 A (max) Built
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