Справочник IGBT. GT10G101

 

GT10G101 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GT10G101
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для GT10G101

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT10G101 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  toshiba
 gt10g101.pdf pdf_icon

GT10G101

 8.1. Size:201K  toshiba
 gt10g131.pdf pdf_icon

GT10G101

GT10G131 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT10G131 Strobe Flash Applications Unit: mm Supplied in compact and thin package requires only a small mounting area 5th generation (trench gate structure) IGBT Enhancement-mode 4-V gate drive voltage: VGE = 4.0 V (min) (@IC = 200 A) Peak collector current: IC = 200 A (max) Built

Другие IGBT... GA300TD60U , GA400TD25S , GA400TD60U , GA500TD60U , GA50TS120U , GA600GD25S , GA75TS120U , GA75TS60U , IRGP4063 , GT10J301 , GT10J311 , GT10Q301 , GT10Q311 , GT15G101 , GT15J101 , GT15J102 , GT15J103 .

 

 
Back to Top

 


 
.