STGB20NB41LZ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STGB20NB41LZ
Tipo de transistor: IGBT + Built-in Zener Diodes
Código de marcado: GB20NB41LZ
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 410 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 12 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 2.4 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 220 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 160 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 46 nC
Paquete / Cubierta: D2PAK
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STGB20NB41LZ Datasheet (PDF)
stgb20nb41lz.pdf
STGB20NB41LZN-CHANNEL CLAMPED 20A - DPAKINTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGB20NB41LZ CLAMPED
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STGB20NB32LZSTGB20NB32LZ-1N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAKINTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGB20NB32LZ CLAMPED
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STGB20NB32LZSTGB20NB32LZ-1N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAKINTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGB20NB32LZ CLAMPED
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