STGB20NB41LZ Todos los transistores

 

STGB20NB41LZ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STGB20NB41LZ
   Tipo de transistor: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Código de marcado: GB20NB41LZ
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 410 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 12 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 2.4 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 220 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 160 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 46 nC
   Paquete / Cubierta: D2PAK

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STGB20NB41LZ Datasheet (PDF)

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STGB20NB41LZN-CHANNEL CLAMPED 20A - DPAKINTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGB20NB41LZ CLAMPED

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STGB20NB32LZSTGB20NB32LZ-1N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAKINTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGB20NB32LZ CLAMPED

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