STGB20NB41LZ Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: STGB20NB41LZ
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Маркировка: GB20NB41LZ
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 410 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 12 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 2.4 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 220 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 46 nC
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор IGBT транзистора по параметрам