STGB20NB41LZ - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: STGB20NB41LZ
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Маркировка: GB20NB41LZ
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 410 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 12 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 2.4 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 220 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 46 nC
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для STGB20NB41LZ

 

 

STGB20NB41LZ Datasheet (PDF)

Другие IGBT... STGB14NC60KD , STGB18N40LZ , STGB19NC60H , STGB19NC60HD , STGB19NC60K , STGB19NC60KD , STGB19NC60S , STGB19NC60W , IRG4PC50U , STGB20NC60V , STGB30NC60K , STGB35N35LZ , STGB3NB60SD , STGB3NC120HD , STGB6NC60HD , STGB7NC60HD , STGB8NC60K .