GT10Q311 Todos los transistores

 

GT10Q311 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT10Q311
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 130 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

GT10Q311 Datasheet (PDF)

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GT10Q311

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GT10Q311

GT10Q301 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT10Q301 High Power Switching Applications Unit: mmMotor Control Applications Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed: tf = 0.32 s (max) Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.7 V (max) FRD included between emitter and collector Absolute Maximum Ratings (Ta = 25

Otros transistores... GA50TS120U , GA600GD25S , GA75TS120U , GA75TS60U , GT10G101 , GT10J301 , GT10J311 , GT10Q301 , GT30F124 , GT15G101 , GT15J101 , GT15J102 , GT15J103 , GT15N101 , GT15Q101 , GT15Q301 , GT15Q311 .

History: APTGT75SK170D1 | IKB40N65ES5 | FD800R33KF2C-K | VS-GB100TP120N | CM400DY-24NF | SKM150GB174D | IGW75N60H3

 

 
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