GT10Q311 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT10Q311
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 130
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 10
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.7
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 300
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de GT10Q311 - IGBT
GT10Q311 Datasheet (PDF)
gt10q301.pdf
GT10Q301 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT10Q301 High Power Switching Applications Unit: mmMotor Control Applications Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed: tf = 0.32 s (max) Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.7 V (max) FRD included between emitter and collector Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
Otros transistores... GA50TS120U , GA600GD25S , GA75TS120U , GA75TS60U , GT10G101 , GT10J301 , GT10J311 , GT10Q301 , GT30F124 , GT15G101 , GT15J101 , GT15J102 , GT15J103 , GT15N101 , GT15Q101 , GT15Q301 , GT15Q311 .
Liste
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