GT10Q311 - аналоги и описание IGBT

 

GT10Q311 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: GT10Q311

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS

Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для GT10Q311

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT10Q311 даташит

 ..1. Size:70K  toshiba
 gt10q311.pdf pdf_icon

GT10Q311

 8.1. Size:173K  toshiba
 gt10q301.pdf pdf_icon

GT10Q311

GT10Q301 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT10Q301 High Power Switching Applications Unit mm Motor Control Applications Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed tf = 0.32 s (max) Low saturation voltage VCE (sat) = 2.7 V (max) FRD included between emitter and collector Absolute Maximum Ratings (Ta = 25

Другие IGBT... GA50TS120U , GA600GD25S , GA75TS120U , GA75TS60U , GT10G101 , GT10J301 , GT10J311 , GT10Q301 , GT30F124 , GT15G101 , GT15J101 , GT15J102 , GT15J103 , GT15N101 , GT15Q101 , GT15Q301 , GT15Q311 .

History: GT10J311 | GA75TS60U

 

 

 

 

↑ Back to Top
.