STGE200NB60S IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STGE200NB60S
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 600 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.2 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 112 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1100 pF
Encapsulados: ISOTOP
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STGE200NB60S datasheet
stge200nb60s.pdf
STGE200NB60S N-channel 150A - 600V - ISOTOP Low drop PowerMESH IGBT General features VCE(sat) TYPE VCES IC TC (typ.) 1.2V 150A 100 C STGE200NB60S 600V 1.3V 200A 25 C High input impedance (voltage driven) ISOTOP Low on-voltage drop (Vcesat) Off losses include tail current Low gate charge High current capability Description Internal schematic diagram Usi
Otros transistores... STGD5NB120SZ , STGD6NC60HD , STGD7NB60S , STGD7NC60H , STGD8NC60K , STGD8NC60KD , STGDL6NC60D , STGDL6NC60DI , FGH40N60UFD , STGE50NC60VD , STGE50NC60WD , STGF10NB60SD , STGF10NC60HD , STGF10NC60KD , STGF10NC60SD , STGF14NC60KD , STGF19NC60HD .
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