STGE200NB60S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STGE200NB60S
Tipo de transistor: IGBT
Código de marcado: GE200NB60S
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 600 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 112 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1100 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 560 nC
Paquete / Cubierta: ISOTOP
Búsqueda de reemplazo de STGE200NB60S - IGBT
STGE200NB60S Datasheet (PDF)
stge200nb60s.pdf
STGE200NB60SN-channel 150A - 600V - ISOTOPLow drop PowerMESH IGBTGeneral featuresVCE(sat)TYPE VCES IC TC(typ.)1.2V 150A 100CSTGE200NB60S 600V1.3V 200A 25C High input impedance (voltage driven)ISOTOP Low on-voltage drop (Vcesat) Off losses include tail current Low gate charge High current capabilityDescriptionInternal schematic diagramUsi
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Liste
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